Samsung 開始生產 10 納米級 DRAM
據 TIMES,Samsung 已經開始生產 10 納米級 DRAM。據悉,Samsung 在今年年 初宣布半導體事業 2016年 將正式進入 10 納米時代,借著量產 18 納米 DRAM 與 10 納米鰭式場效晶體管 (FinFET) 制程芯片,以擴大技術差距的策略守住半導體領先優勢。業界認為 Samsung 最快在 2016 Q4 就可采用 10 納米 FinFET 制程量產系統半導體,進度可望超越 Intel 的 14 納米與臺積電的 16 納米制程。


























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