復旦大學的團隊研發(fā)了一種新的二維非易失性存儲芯片,使用半導體結(jié)構(gòu)研發(fā)的存儲芯片在性能上更優(yōu)秀。具體來說,與DRAM內(nèi)存相比,它的數(shù)據(jù)刷新時間是前者的156倍,也就是能保存更長時間的數(shù)據(jù),同時具備納秒(ns)級的寫入速度(NAND閃存的延遲一般在毫秒級),與傳統(tǒng)二維材料相比其速度快了100萬倍。
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